Toyo Tanso是日本領(lǐng)先的特種石墨和碳制品制造商，成立于20世紀(jì)中期，專注于高性能石墨材料的研發(fā)與生產(chǎn)。公司以1974年全球首次成功開發(fā)“等方性石墨”技術(shù)而聞名，該材料具有均勻的晶體結(jié)構(gòu)和卓越的耐高溫、導(dǎo)電性及化學(xué)穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、航空航天、核能、醫(yī)療等領(lǐng)域。

核心業(yè)務(wù)：生產(chǎn)高純度石墨、碳纖維復(fù)合材料、涂層石墨產(chǎn)品等，尤其在半導(dǎo)體制程設(shè)備（如單晶硅拉拔爐、外延生長基座）中占據(jù)重要地位。

碳化硅（SiC）涂層石墨基板產(chǎn)品系列

Toyo Tanso的SiC涂層石墨基板主要用于半導(dǎo)體外延工藝，具體應(yīng)用場景包括：

MOCVD基板

用于金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備，支撐氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）外延層生長。

SiC外延生長基板

作為SiC半導(dǎo)體晶圓制造的核心組件，承受超高溫（>1000℃）并抑制石墨基材的顆粒釋放。

硅外延生長基板

用于硅半導(dǎo)體晶圓的高溫處理，優(yōu)化晶體生長質(zhì)量。

SiC涂層基板按結(jié)構(gòu)和應(yīng)用分為以下類型：

單片式石墨基板：適用于單一晶圓的高精度加工。

多層石墨基板：支持多晶圓同時處理，提高生產(chǎn)效率。

其他核心產(chǎn)品型號及系列

高純度石墨制品

等方性石墨：用于半導(dǎo)體設(shè)備（如單晶爐熱場）、放電加工電極、核反應(yīng)堆材料等。

冷等靜壓石墨：通過高壓成型工藝制成，具有低熱膨脹系數(shù)和超高純度，適用于真空爐和高溫環(huán)境。

涂層石墨產(chǎn)品

TaC（碳化鉭）涂層石墨：耐化學(xué)腐蝕性優(yōu)于SiC涂層，適用于第三代半導(dǎo)體單晶生長和刻蝕工藝。

SiC/TaC復(fù)合涂層石墨：結(jié)合兩種涂層的優(yōu)勢，提升高溫穩(wěn)定性和使用壽命9。

工業(yè)應(yīng)用組件

Susceptor（晶圓襯底底座）：用于碳化硅晶圓制造，計劃至2028年產(chǎn)能提升至目前的三倍。

EDM石墨電極：用于電火花加工，具有高導(dǎo)電性和耐熱性。

真空爐石墨件：耐高溫達3000℃，用于半導(dǎo)體和材料燒結(jié)工藝。

碳纖維復(fù)合材料

包括軸承、密封材料、汽車零部件等，應(yīng)用于航空航天和新能源領(lǐng)域。

技術(shù)優(yōu)勢與特點：

采用化學(xué)氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）技術(shù)實現(xiàn)高精度涂層。

通過自動化生產(chǎn)提升高純度石墨的產(chǎn)能和一致性（2025年產(chǎn)能目標(biāo)為2022年的1.5倍）。

注意事項

更詳細(xì)的技術(shù)資料需通過來提供項目詳情獲取，歡迎咨詢。

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